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Y1HGold: 10×100μl 保存條件:-80℃
pGADT7 (control vector, 10 ng/μl) 10μl 保存條件:-80℃
Carrier DNA (5 μg/μl) 100μl 保存條件:-20℃
PEG/LiAC: 5ml 保存條件: 4℃
MATα, ura3-52, his3-200, ade2-101, trp1-901, leu2-3, 112, gal4Δ, gal80Δ, met-, MEL1
產(chǎn)品說明
Y1HGold菌株是Clontech公司開發(fā)的GAL4-AbA酵母單雜系統(tǒng)用菌株,MATα型,可直接轉(zhuǎn)化質(zhì)粒進(jìn)行篩庫試驗(yàn)。Transformation marker為:ura3,leu2;報(bào)告基因?yàn)椋?/span>AbAr。Y1HGold-GAL4-AbA 酵母單雜系統(tǒng)需要兩種質(zhì)粒配套使用:pAbAi 和PGADT7。質(zhì)粒pAbAi的篩選標(biāo)志為URA,用于表達(dá) pBait-AbAi construct (1~3個(gè)bait DNA序列重復(fù)串聯(lián)后克隆到pAbAi中);質(zhì)粒pGADT7的篩選標(biāo)志為LEU,用于表達(dá)AD(GAL4 C端768~881位氨基酸)與目標(biāo)蛋白 (Prey)的融合蛋白。GAL4-AbA酵母單雜系統(tǒng)原理:Aureobasidin A (AbA)是一種環(huán)酯肽抗生素,在低濃度 (0.1-0.2 μg/ml)下即可對酵母產(chǎn)生毒性?;蚪M中整合了pBait-AbAi 的酵母菌株 (Bait-Reporter Yeast Strains),當(dāng)獵物蛋白 (Prey)結(jié)合到誘餌序列 (Bait DNA)上,GAL4 AD就會激活A(yù)bAr的表達(dá),從而能夠在含有抗生素AbA 的培養(yǎng)基上生長。AbAr與營養(yǎng)缺陷報(bào)告基因相比具有更低背景的優(yōu)點(diǎn),可以降低酵母單雜假陽性發(fā)生的概率。Y1HGold感受態(tài)細(xì)胞經(jīng)特殊工藝制作,-80℃可保存三個(gè)月,pGADT7質(zhì)粒檢測轉(zhuǎn)化效率>104 cfu/μg DNA。
1. 取pBait-AbAi質(zhì)粒5μg,BstBI或 BbsI酶切1小時(shí),回收。
2. 取100 μl冰上融化的Y1HGold感受態(tài)細(xì)胞,依次加入預(yù)冷的線性pBait-AbAi質(zhì)粒1-5 μg(體積不高于15 μl),Carrier DNA (95-100度5 min,快速冰浴,重復(fù)一次) 10 μl,PEG/LiAc 500 μl并吸打幾次混勻,30度水浴30 min (15 min時(shí)翻轉(zhuǎn)6-8次混勻)。
3. 將管放42℃水浴15 min (7.5 min時(shí)翻轉(zhuǎn)6-8次混勻)。
4. 5000 rpm離心 40 s棄上清,ddH2O 400 μl 重懸,離心 30s棄上清。
4. ddH2O 50 μl重懸,涂SD/-Ura平板,29℃培養(yǎng)72 h。
5. 挑取5-10個(gè)克隆,用PCR方法確定pBait-AbAi 整合到Y1HGold 基因組中,PCR 陽性菌株在SD/-Ura平板劃線,29℃培養(yǎng)72 h,4℃保存,此菌株即是Y1HGold[Bait/AbAi] 菌株。
注意事項(xiàng)
1. 感受態(tài)細(xì)胞最好在冰上融化。
2. 轉(zhuǎn)化高濃度的質(zhì)粒可相應(yīng)減少最終用于涂板的菌量。
3. 同時(shí)轉(zhuǎn)化2-3種質(zhì)粒時(shí)可增加質(zhì)粒的用量。
4. Y1HGold酵母菌株對高溫敏感,最適生長溫度為27-30℃;高于31℃,生長速度和轉(zhuǎn)化效率呈指數(shù)下降。
5. 菌落變粉不是污染,是酵母細(xì)胞生長中一個(gè)常見現(xiàn)象。當(dāng)細(xì)胞在平板培養(yǎng)幾天后,平板上的Adenine被酵母消耗完畢,酵母試圖通過自身代謝途徑合成Adenine以供利用,然而,有些菌株的ADE2基因被破壞,Adenine合成途徑受阻;又由于其ADE4,5,6,7,8基因均正常,所以造成中間產(chǎn)物P-ribosylamino imidazole (AIR) 在細(xì)胞中積累而使菌落變?yōu)榉奂t色。
6. 酵母在缺陷培養(yǎng)基中生長速度比YPDA培養(yǎng)基慢,培養(yǎng)基中缺陷成分越多,生長越慢,以轉(zhuǎn)化涂板為例:涂YPDA平板29℃,48 h培養(yǎng)可見直徑1 mm克隆;涂SD單缺平板29℃,48-60 h培養(yǎng)可見直徑1 mm克隆,涂SD雙缺平板29℃,60-80 h培養(yǎng)可見直徑1 mm克隆,涂SD三缺或四缺平板平板29℃,80-90 h培養(yǎng)可見直徑1 mm克隆。